光刻機概念盤中走勢活躍，截至發(fā)稿，中船特氣、凱美特氣、東材科技等漲停，華特氣體、華懋科技漲超9%。

消息面上，據深圳市國資委消息，由市屬國企深重投集團與市科技創(chuàng)新局聯合打造的國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得突破性進展。該國創(chuàng)中心在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延，能顯著降低氮化鎵外延材料的缺陷密度，大幅提升散熱性能，各項指標均達到國際領先水平，有望從根本上解決其可靠性問題。這一成果打破了大尺寸氮化鎵與碳化硅材料單片集成的技術瓶頸，可批量應用于大尺寸、高質量氮化鎵外延材料制備，為現有硅基氮化鎵技術路線提供了一種極具競爭力的替代方案，為氮化鎵/碳化硅混合晶體管的發(fā)展和產業(yè)化進程奠定基礎。  

機構表示，隨著5G技術、汽車、無線通信、航天航空等技術的高速發(fā)展，電氣化程度的提高對耐高溫、耐高壓、高頻及大功率的性能有著迫切需求。氮化鎵作為第三代寬禁帶半導體的代表之一，擁有寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高電子漂移速率等優(yōu)點，制備出的氮化鎵器件導通電阻小、電子遷移率高、熱導性好而且在散熱、能耗、體積等方面也有著很大的優(yōu)勢，可以極大地提升新興電力電子器件的性能，還能達到節(jié)省能源的效果。

天風證券指出，為獲得性能更優(yōu)的氮化鎵器件以搶占市場份額，各大廠商正在在垂直型結構和提高集成度等方向上尋求技術突破。隨著氮化硅功率器件的性能及性價比的進一步提升，未來在高、中、低電壓場景下都將有很大的發(fā)展?jié)摿Γ春闷湓谄囯姎庀到y(tǒng)、大規(guī)模集成電路、無線通訊等領域的發(fā)展。